(圖/ MGBOX新聞網 AI圖片) 日韓研究團隊提出AI記憶體新架構，DRAM側向立起設計挑戰HBM散熱瓶頸，正為下一代AI晶片發展開啟新的技術想像。隨著生成式AI持續推升大型模型運算需求，高頻寬記憶體（HBM）已成為AI伺服器不可或缺的核心元件，但容量、散熱與頻寬限制也逐漸成為產業發展瓶頸。近期韓國與日本兩組研究團隊，分別提出不同的記憶體整合方案，希望突破傳統HBM堆疊架構限制。 這兩項研究於2026年IEEE／JSAP VLSI Technology and Circuits Symposium發表，共同概念都是改變DRAM晶片配置方式，不再採用目前HBM向上垂直堆疊設計，而是將記憶體晶片改為「側向直立」排列，希望增加資料傳輸效率，同時降低高密度堆疊帶來的散熱問題。...